1. 绿碳化硅微粉的特性

• 高硬度（莫氏硬度9.2，仅次于金刚石和立方氮化硼），适合加工高硬材料（如碳化硅单晶、蓝宝石等）。

• 化学稳定性：耐酸碱、耐高温，在抛光过程中不易与工件发生化学反应。

• 锋利棱角：颗粒形状均匀，切削力强，可提高抛光效率。

• 高纯度（≥99.9%）：避免金属杂质污染半导体基板。
   

2. 在半导体抛光中的应用

• 主要用途：

  • 碳化硅（SiC）单晶衬底抛光：用于功率器件、射频器件等宽禁带半导体。

  • 硅（Si）衬底抛光：辅助粗抛或中间工序。

  • 其他材料：蓝宝石（GaN外延衬底）、石英玻璃等。

• 抛光阶段：通常用于粗抛或中抛，去除较大表面缺陷，后续需结合金刚石或胶体二氧化硅进行精抛。
   

3. 关键性能指标

• 粒径范围：常用0.5-10μm（根据抛光阶段选择，粗抛用较大颗粒）。

• 粒度分布：需严格控制，窄分布可提高表面一致性。

• 杂质含量：Fe、Al、Ca等金属杂质需低于ppm级。

• 颗粒形貌：多角形颗粒优于球形，利于切削。
   

4. 与其他抛光材料的对比

5. 工艺注意事项

• 悬浮液稳定性：需配合分散剂（如PEG）防止颗粒团聚。

• 抛光压力/转速：过高可能导致划伤，需优化参数。

• 后清洗：彻底去除残留磨料，避免污染。