1. 材料特性

• 化学成分：高纯度绿碳化硅（SiC），通常纯度≥99%，杂质（如Fe、Al、Ca等）含量极低，避免污染半导体材料。

• 硬度：莫氏硬度9.2，仅次于金刚石，适合切割高硬材料。

• 颗粒形状：尖锐多棱角结构，提升切割效率。

• 粒径分布：通常为 F200-F1500（5-50μm），需严格分级以确保切割均匀性。

• 热稳定性：耐高温（＞1600℃），适合高速切割场景。

2. 应用领域

• 硅片切割：单晶/多晶硅锭的线切割（金刚线或砂浆切割）。

• 第三代半导体：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）衬底加工。

• 光学材料：蓝宝石（用于LED、消费电子屏幕）切割。

• 
  

  绿碳化硅性能指标

  参数	典型值/要求
  SIC	≥99%
  粒径（D50）	5-50μm（根据工艺调整）
  磁性异物	≤0.1ppm
  颗粒形状	等积形/块状占比＞80%
  水分	＜0.1%