氧化铝陶瓷
碳化硅陶瓷(反应烧结、无压烧结)
碳化钨硬质合金
超高硬度:能够有效切削这些硬质材料。
锋利的棱角:自锐性好,在抛光过程中能持续产生新的切削刃,保证切削效率。
化学稳定性:不与常用的冷却液或水基研磨液发生反应,避免污染工件。
研磨膏/研磨液:
将绿碳化硅微粉与油性/水性载体混合,制成研磨膏或研磨液。
通过双面研磨机或平面研磨机,对密封环的端面进行精密抛光。这是最常见的方式。
游离磨料抛光:
将磨料悬浮液直接施加在抛光盘(如铸铁盘、锡盘、聚氨酯垫)上,依靠抛光盘的压力和相对运动进行抛光。
微粉粒度:
粗抛:通常使用 W40 - W14 的粒度,用于快速去除加工余量,修正平面度。
精抛:通常使用 W10 - W5 的粒度,用于降低表面粗糙度,获得光亮的表面。
超精抛:使用 W3.5及更细 的粒度,用于实现镜面效果和极高的表面质量。
注意:抛光是一个循序渐进的过程,需要从粗到细逐级进行,不能跳级,否则上一道工序的深划痕将无法被去除。
用于密封环抛光的绿碳化硅微粉不是普通产品,而是高品级微粉,具体要求如下:
高纯度:磨料中杂质含量低,尤其是铁质杂质,以避免污染工件和引入二次划伤。
粒度集中度高:颗粒大小分布范围要窄。如果粒度分布太宽,其中个别的大颗粒就会在密封环表面产生致命的深划痕,严重影响密封性能和产品良率。
颗粒形状:理想的颗粒应是等积形、棱角分明,而不是片状或针状,以保证均匀的切削力和良好的自锐性。
化学成分稳定:不与工件或设备发生化学反应。
一个典型的碳化硅密封环端面抛光流程可能是:
金刚石粗磨:使用金刚石砂轮进行平面成型和粗加工。
绿碳化硅W20研磨:在双面研磨机上,使用W20绿碳化硅研磨液进行初步抛光,去除金刚石磨削的痕迹。
绿碳化硅W7研磨:更换更细的磨料,进一步降低粗糙度。
绿碳化硅W3.5精抛:最终抛光,达到镜面效果和要求的平面度、粗糙度(通常要求Ra < 0.05 μm甚至更高)。