截断:将碳化硅晶锭的头部和尾部(品质较差的部分)切掉。
开方:将圆柱形的晶锭切割成四四方方的棱柱,以便后续进行切片。
(注)最终的精密切片:现在主流的SiC晶圆最终切片(将方锭切成薄片)大多已采用金刚石线切割,因为金刚石是唯一比SiC更硬的材料,效率和精度更高。但绿碳化硅在之前的开方截断工序中仍有重要应用,尤其在一些成本敏感或特定工艺中。

高硬度:绿碳化硅的显微硬度高达2840-3320kg/mm²,其硬度在常见磨料中仅次于金刚石和碳化硼,非常适合加工像SiC、蓝宝石、石英、陶瓷等硬脆材料。
锋利的棱角:绿碳化硅晶体具有尖锐的棱角,在切割过程中能产生有效的微破碎和切削作用。
良好的自锐性:在切割压力下,颗粒会破裂产生新的锋利刃口,持续保持切割能力。
化学稳定性:在加工过程中不与SiC衬底发生化学反应,避免污染。
成本效益:相比于金刚石微粉,绿碳化硅价格便宜很多。对于开方、截断这类对表面损伤要求相对低于最终切片的要求,它是一个性价比极高的选择。
设备:使用一根高速往复运动的钢线(母线)。
砂浆:将绿碳化硅微粉(粒度通常在几百目到上千目,即几微米到几十微米)与聚乙二醇(PEG) 等切割液混合,制成悬浮的“砂浆”。
切割过程:钢线携带砂浆通过碳化硅晶锭。在巨大的张力和速度下,钢线将碳化硅微粉“压入”并“滚动”过被加工材料表面,通过无数微小磨粒的微切削和微破碎作用,逐渐磨出一条窄缝(切缝),从而实现材料的分离。
高纯度:通常要求达到97%以上,以减少金属杂质(如Fe、Al、Ca等)引入,防止污染半导体材料。
精确的粒度分布:粒度需要高度均匀,集中在一个窄的范围内。粒度分布过宽会导致切割效率下降和表面损伤层不一致。
锋利的晶形:要求颗粒形态完整,多呈锐角状,而非圆滑的颗粒。
低杂质含量:严格控制磁性物、氧化硅(SiO₂)等杂质的含量。
硅片切割:主流的硅片切割早已从砂浆切割(使用碳化硅微粉)全面转向金刚石线切割。因为硅的硬度较低,金刚石线可以实现更高速、更薄片化、更环保的切割。
碳化硅衬底切割:由于碳化硅硬度极高,金刚石线是最终切片的必然选择。但绿碳化硅微粉凭借其极高的硬度/价格比,在 “开方截断” 这个对线耗和表面要求略低的粗加工环节,仍然是一个非常重要的磨料选择,尤其是在降低加工成本方面具有显著优势。