绿碳化硅微粉用于晶圆抛光的核心优势

一、硬度适配，兼顾切削效率与低亚表面损伤

1. 绿碳化硅莫氏硬度 9.2~9.5，高于单晶硅（6.5）、蓝宝石，和 SiC 衬底接近；对比金刚石硬度更低，研磨时不会产生深裂纹、晶格破坏，大幅降低晶圆崩边、隐裂风险。
2. 对比白刚玉、黑碳化硅切削能力更强，同等工艺下材料去除速率更高，提升晶圆研磨产能。

二、自锐性能优异，抛光效果长期稳定

• 长时间连续研磨不衰减去除效率；
• 不用频繁更换抛光浆料、清理磨盘，降低停机损耗，适合大批量硅片、碳化硅衬底量产。
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三、高纯低杂质，适配半导体洁净制程

1. 游离碳、铁、铝、铜等重金属杂质含量极低，总金属杂质可控制在几十 ppm 内；
2. 无磁性杂质，不会吸附残留在晶圆表面，避免芯片漏电、短路、良率下降；
3. 化学成分为 Si、C，与硅晶圆材质相容性好，酸碱抛光液中不析出污染离子。

四、化学稳定、导热性能好，保护晶圆良率

1. 耐酸耐碱，可适配酸性、碱性各类水基研磨液，适用多种抛光设备体系；
2. 导热系数高，抛光摩擦产生的热量能快速导出，避免晶圆局部高温产生热应力、翘曲、表面灼伤。

五、粒度可控，有效减少晶圆划痕缺陷

1. 粒度分布区间窄，严格管控超大颗粒（D94 指标）；
2. 从粗磨 2000# 到超细 W0.5 精抛全系列规格齐全；大颗粒少，抛光后晶圆麻点、划伤缺陷大幅减少