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晶片减薄用绿碳化硅微粉1000#
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绿碳化硅微粉(Green SiC)
:由石英砂与石油焦在电阻炉高温冶炼而成,经破碎、酸洗、磁选、分级制得;
莫氏硬度 9.2–9.5
,显微硬度 2800–3300 kg/mm²,
自锐性好、化学纯度高、热导率高、晶片损伤小
。
通常在晶片封装前,需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度,这一工艺过程称之为晶片减薄。在后道制程阶段,晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。
绿碳化硅微粉用于晶片晶圆减薄
核心优势
硬度适中,切削锋利
莫氏 9.2-9.5,硬度高于硅片、蓝宝石、碳化硅晶片,磨削去除效率高,下料快,减薄产能高。
自锐性极强,不易钝化
颗粒磨削中自动崩裂出新刃口,长期研磨不打滑、不磨钝,
磨削力稳定
,不用频繁换料。
亚表面损伤极小
晶粒锋利且韧性好,研磨纹路细腻,
晶片表层损伤层浅
,大幅降低后续崩片、裂片、翘曲概率,适配超薄晶圆减薄。
表面光洁度高,粗糙度优
颗粒粒径均匀、棱角规整,研磨后晶片表面细腻,精磨后可直接接近抛光前标准,
减少后续抛光工序成本
。
化学性质稳定,无腐蚀污染
耐酸碱、高温稳定,不含强腐蚀性成分,
不腐蚀晶片基材
,无化学残留,适配半导体洁净生产环境。
导热性好,降温快
磨削瞬间热量快速散出,
晶片不易热变形、热灼伤
,保障整片厚度均匀、TTV 厚度偏差小。
杂质低,适配半导体级别
高纯绿碳化硅铁、磁性物、重金属含量极低,
不造成晶片电性污染
,适合芯片、功率半导体、光电晶片。
通用性强,适配多种晶片
硅晶圆、蓝宝石、碳化硅、砷化镓、陶瓷晶片都能用,粗磨、中磨、精磨全工序通用。
性价比远超金刚石
同等研磨效果下,
成本远低于金刚石微粉
,大批量晶圆减薄量产首选,降本效果明显。
悬浮分散性好
做成研磨液不易沉淀、不分层,板面研磨均匀,整片晶片厚薄一致性更好。
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