高硬度:其莫氏硬度高达9.5。这使得它能够高效地切削和去除硅、玻璃、石英等硬脆材料。
锋利的棱角:绿碳化硅颗粒在破碎后能形成尖锐的棱角,具有优异的切削能力,抛光效率高。
良好的自锐性:在使用过程中,磨粒会不断碎裂,暴露出新的锋利刃口,从而保持稳定的抛光速率。
高纯度:用于半导体抛光的绿碳化硅经过特殊提纯处理,金属离子(如Fe, Na, K, Ca等)含量极低,避免了这些杂质污染晶片表面,这对于半导体制造至关重要。
化学稳定性:在常温下不与酸、碱发生反应,化学性能稳定,确保了抛光过程的化学一致性。
切片 (Slicing):将硅锭切成薄片(Wafer)。
研磨/磨片 (Lapping/Grinding):去除切片造成的刀痕和表面损伤层,并精确控制晶片的厚度和平整度。
正是在这个步骤中,绿碳化硅微粉(作为研磨液/研磨浆料的一部分)被广泛使用。 它的主要任务是快速、大量地去除材料,为后续的抛光打下平坦的基础。
蚀刻 (Etching):用化学方法去除研磨后的表面应力损伤层。
抛光 (Polishing):这是最终获得超光滑、无缺陷表面的步骤。
通常使用更软的磨料(如胶体二氧化硅)和化学机械抛光(CMP)技术。
绿碳化硅一般不用于最终的精抛步骤,因为它的硬度太高,容易在柔软的硅表面产生划痕(Scratches)和亚表面损伤(Sub-surface Damage)。